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芯片作為一款集成度高，結構精密的電子元器件，是集成電路的載體。去年，中國進口芯片占全球芯片産量的80%，超3500億美元，國内芯片産能仍有很大不足。
提高國内芯片設計和制造能力，刻不容緩，而芯片反向工程不失為一個好辦法。所謂“反向工程（Reverse Engineering）”是指一種産品設計技術再現過程，即對一項目标産品進行反向分析及研究，從而演繹并得出該産品的處理流程、組織結構、功能特性及技術規格等設計要素，以輔助設計、制作出功能相近，但又不完全一樣的産品。
這種方法似乎讓人很容易與侵犯别人知識産權産生聯系，實際上反向設計與正向設計一樣，隻是IC設計的一種技術手段，通過反向工程獲取别人先進的設計思想用于自己的芯片設計中，并不能說侵犯知識産權。且在集成電路領域，如果懷疑某公司侵犯知識産權，可以用反向工程技術來尋找證據。
而進行反向工程往往需要采用各種先進的科學測試、分析和研究手段，掃描電鏡分辨率高，景深大而且可以從幾十倍到幾十萬倍連續擴大，是材料研究和分析的重要工具。
但傳統掃描電鏡成像速度慢，智能化程度低，難以滿足半導體工業客戶的表征要求。聚束科技Navigator系列高通量掃描電子顯微鏡，專門用于毫米至厘米級大面積芯片樣品的反向工程，納米級分辨率成像的超高速掃描電鏡系統。以2nm像素尺寸掃描10㎜×10㎜大小的芯片樣品，總數據量可達30TB，傳統掃描電鏡需140天，聚束科技的高通量（場發射）掃描電鏡僅需7天，且自動拼接成功率大于90％！全面幫助用戶們系統地掌握産品的設計和生産技術。
圖 高通量（場發射）掃描電鏡顯微鏡NavigatorSEM系列
高通量掃描電鏡技術具體可應用于：
芯片專利保護和分析
在芯片專利保護和分析領域，要求電鏡具備良好的低壓分辨率、超低的畸變、更快的成像速度。本産品設計思路源自于工業級半導體産線用電子束檢測設備，從“基因”上具備此領域所需要的各項性能，并在關鍵指标上全面優于傳統掃描電鏡。
失效分析
從半導體單晶片到制成最終成品，為了确保産品性能合格、穩定可靠以及高成品率，須經曆數十甚至上百道工序。失效分析是産品可靠性工程中一個重要組成部分，目的是借助各種測試分析技術和分析程序确認電子元器件的失效現象，分辨其失效模式和失效機理，并最終确認其失效原因，提出改善設計和制造工藝的建議，防止失效的重複出現，提高元器件的可靠性。進行失效分析往往需要采用先進的物理、冶金及化學的分析手段，聚束科技掃描電鏡可提供在半導體産業中成熟的工業化高通量電鏡檢測技術，為用戶提供專業定制化的缺陷表征解決方案。對提高産品質量，技術開發、産品修複等具有很強的實際意義。
芯片 由高通量（場發射）掃描電鏡拍攝
當下國家已經将支持半導體企業發展提升至國家戰略高度，持續大力的支持國産芯片企業發展。但想要做巧克力，絕對不是簡單的買一塊巧克力融化再冷卻，變成自己的巧克力，而是需要精準分析巧克力的原料，制作工藝，所需溫度後，研發制作出一塊新的巧克力。制造業企業始終需要創新的技術在攻關征途中赢得尊重，赢得未來。聚束科技作為國産掃描電鏡制造商，将為國内芯片行業創新發展持續助力！
